網站首頁    真空類設備    CK500高真空多靶磁控濺射鍍膜機

CK500高真空多靶磁控濺射鍍膜機

CK500高真空多靶磁控濺射鍍膜機重要由鍍膜腔室(φ500×H430mm),永磁圓形立體靶,真空體系,扭轉加熱基片台,氣路體系,電氣掌握及報警掩護體系等構成。

設備特色及重要用處

CK500高真空多靶磁控濺射鍍膜機重要由真空公用不鏽鋼腔室、四只3英寸圓形立體磁控靶;直流、射頻濺射電源各一台。機械泵+份子泵高真空體系、扭轉、加熱基片台(室溫至300±1℃可調可控)、機架、氣路、旱路、邏輯按鈕掌握及平安掩護等構成。該設備選配電源可具有四靶共濺射功效,完成一機多用,可開辟納米級單層或多層的導電膜、金屬膜、半導體膜、絕緣膜等。零件構造緊湊、占地小、操作便利、抽真空速度快。

技術參數

真空腔室

φ500×H430mm

真空體系

複合份子泵+直聯旋片泵,氣動真空閥門

真空極限

優于8.0×10-5Pa

抽速

從大氣抽至6.0×10-3Pa≤15min

基片台

基片台尺寸:φ150mm 

基片加熱與扭轉

襯底加熱:室溫~300℃,主動測溫,PID控溫;基片扭轉:0-50轉/分鍾,可調可控

濺射靶規格

3英寸,四只

膜厚不平均性

≤±5%

掌握方法

手動按鈕掌握;(主動掌握可選)

報警及掩護

缺水報警,強迫水冷,過流過壓等異常情形主動履行掩護功效

占空中積

長×寬: 1700×1600mm

PS-CK500