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PS-200單靶磁控濺射鍍膜機

 

設備簡介

PS-200單靶磁控濺射鍍膜機重要由真空室、磁控靶、扭轉基片架、真空體系、機架、電器掌握等幾大部門構成。可用來制備導電膜、金屬膜、介質膜、半導體膜、絕緣膜、多層膜等。設備構造緊湊,占空中積小合適高校試驗室及科研院所。

情況請求
供電:AC220V,功率≥20KVA
自力地線:<3Ω,從設備到地線銜接建議采取≥10mm2 的扁平銅線
供水:流量≥10L/min       水溫0~25℃
室溫:<30℃
絕對濕度:<75%
高純氩氣
室內無腐化易燃、易爆、有毒氣體,無大的塵埃。

技術參數

真空室尺寸(內徑X高) Ф200×200mm
極限真空 2X10-4 Pa
恢停工作真空 從大氣抽至8X10-4 Pa,≤40min
任務真空 ≤6X10-1Pa
升壓率 ≤8X10-1Pa/h
基片架扭轉速度 2~20rpm可調
靶-片距 80~120mm
真空體系 份子泵:FF63/80 型  62 L/S
  機械泵:TRP-12型     3L/S
總功率 20KVA
設備占地尺寸 800X800
磁控濺射鍍膜機