PS-200單靶磁控濺射鍍膜機
設備簡介
PS-200單靶磁控濺射鍍膜機重要由真空室、磁控靶、扭轉基片架、真空體系、機架、電器掌握等幾大部門構成。可用來制備導電膜、金屬膜、介質膜、半導體膜、絕緣膜、多層膜等。設備構造緊湊，占空中積小合適高校試驗室及科研院所。
情況請求
供電：AC220V，功率≥20KVA
自力地線：＜3Ω，從設備到地線銜接建議采取≥10mm2 的扁平銅線
供水：流量≥10L/min 水溫0～25℃
室溫：＜30℃
絕對濕度：＜75%
高純氩氣
室內無腐化易燃、易爆、有毒氣體，無大的塵埃。
技術參數
| 真空室尺寸（內徑X高） | Ф200×200mm |
| 極限真空 | 2X10-4 Pa |
| 恢停工作真空 | 從大氣抽至8X10-4 Pa,≤40min |
| 任務真空 | ≤6X10-1Pa |
| 升壓率 | ≤8X10-1Pa/h |
| 基片架扭轉速度 | 2～20rpm可調 |
| 靶-片距 | 80～120mm |
| 真空體系 | 份子泵：FF63/80 型 62 L/S |
| 機械泵：TRP-12型 3L/S | |
| 總功率 | 20KVA |
| 設備占地尺寸 | 800X800 |
