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ALD原子層堆積設備

       原子層堆積技術以精准掌握薄層厚度,平均性,保型性而著稱,普遍運用于集成電路(IC)行業,它使得電子器件連續微型化成爲能夠,逐步成了微電子器件制作,半導體範疇的需要技術。例如用于制備晶體管柵堆垛、刻蝕終止層。
       緊湊型原子層堆積體系,體系爲全主動的平安互鎖設計,並供給了壯大的靈巧性,可以用于堆積多種薄膜。(可堆積氧的化物: HfO2, Al2O3, TiO2, SiO2, ZnO, Ta2O等;氮化物:TiN,Si3N4等;)
       運用範疇包括半導體、光伏、MEMS等。帶有加熱腔壁及屏障層,異常便利腔體的幹凈。該體系具有一個載氣艙包括4個50ml的加熱源,用于先驅體和反響物,同時帶有N2作爲運載氣體的快脈沖加熱傳輸閥。

 

ALD原子層堆積設備特色

·不平均性低于1%;
·陽極氧化鋁腔體;
·小反響腔體容積確保疾速的輪回時光並進步質量;
·最大可支撐4英寸的基片;
·最多支撐4路50cc/100cc先驅體源;
·精深寬比構造的保形發展。

 

技術參數

設備尺寸:800X800X495mm
4英寸及以下兼容基片
3D 龐雜外面襯底
多孔,通孔,精深寬比(HAR)樣品
樣品加熱50-260℃,精度±1℃
先驅體及管路:液態、固態、氣態,加熱溫度室溫~180℃
尺度設備驗收尺度爲 Al2O3 工藝
ALD原子層堆積設備