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SIC單晶爐

       SIC單晶爐是針對碳化硅單晶發展公用工藝設備,也可用于氮化鋁的單晶發展工藝。

 

SIC單晶爐設備特色

· 設備采取高頻電源感應加熱、水冷感應線圈,水冷箱及低溫密封,並具有對發展室內的高真空度停止檢測、溫度的準確丈量、加熱進程的法式化掌握,石墨坩埚與感應加熱線圈之間絕對地位的調理和Ar等多種氣體的定量定壓供應等功效,使設備在冷卻、隔熱和抗電磁輻射等方面有著異常好的後果;
· 設備爲晶體發展供給一個幻想的工藝情況前提,包管SiC晶體的穩固發展;
· 設備可以有用的防止加熱裝配對晶體的凈化,同時也絕對增長了任務空間。

 

技術參數

加熱溫度 最低溫度2500°C
高周波電源 50kw,7-15KHz
溫度丈量 應用高低紅外放射溫度計測溫
掌握方法 線圈電流掌握(ACC)、放射溫度計掌握(ATC) 
溫度掌握精度 手動方法
氛圍 士0.1%FS(ACC)、2500 °C士5 °C (ATC)
極限圧力 真空、Ar 、N2 
圧力掌握規模 1.33x 10-3Pa (常溫空妒時)
(133~101) x105 Pa士0.1%FS,
低圧側 1.0~100.0士0.1 Torr,
高圧側100~760士5 Torr
SIC單晶爐