SIC單晶爐
SIC單晶爐是針對碳化硅單晶發展公用工藝設備，也可用于氮化鋁的單晶發展工藝。
SIC單晶爐設備特色
· 設備采取高頻電源感應加熱、水冷感應線圈，水冷箱及低溫密封，並具有對發展室內的高真空度停止檢測、溫度的準確丈量、加熱進程的法式化掌握，石墨坩埚與感應加熱線圈之間絕對地位的調理和Ar等多種氣體的定量定壓供應等功效，使設備在冷卻、隔熱和抗電磁輻射等方面有著異常好的後果；
· 設備爲晶體發展供給一個幻想的工藝情況前提，包管SiC晶體的穩固發展；
· 設備可以有用的防止加熱裝配對晶體的凈化，同時也絕對增長了任務空間。
技術參數
| 加熱溫度 | 最低溫度2500°C |
| 高周波電源 | 50kw，7-15KHz |
| 溫度丈量 | 應用高低紅外放射溫度計測溫 |
| 掌握方法 | 線圈電流掌握(ACC)、放射溫度計掌握(ATC) |
| 溫度掌握精度 | 手動方法 |
| 氛圍 | 士0.1%FS(ACC)、2500 °C士5 °C (ATC) |
| 極限圧力 | 真空、Ar 、N2 |
| 圧力掌握規模 | 1.33x 10-3Pa (常溫空妒時) (133～101) x105 Pa士0.1%FS， 低圧側 1.0～100.0士0.1 Torr， 高圧側100～760士5 Torr |
