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高壓VGF單晶爐

高壓VGF單晶爐是制備II一VI族和III一V族化合物半導體資料的癥結設備。重要運用于半導體磷化铟(nP)、磷化镓(GaP)等資料的單晶發展。

 

高壓VGF單晶爐設備特色

 

· 高壓爐體采取無縫碳鋼鋼管束造,品牌壓力容器天資廠家設計臨盆,可蒙受5倍工藝壓力,並有減壓閥,在跨越6MPa時主動降壓,降壓口吻體做隔氧處置。
· 爐體底部有水冷降溫構造,可以加強坩埚支持構造的導熱,利于晶體發展。
· 爐體設備有吸震機構,可以有用把電阻絲通大電流時的震撼有用減除,有益于層錯能弱的晶體發展。
· 爐體支架裝有手動調理體系,便利裝取料時對爐體的調理。
· 增壓體系采取出口增壓泵、壓力均衡掌握體系、氮氣瓶構成。精度高,反響敏銳,可編程工藝增壓與減壓。並設有壓力極限報警。
· 高精度溫度掌握體系,晉升工藝制品率。

 

技術參數

 

爐體構造 高壓立式單管狀腔體
實用單晶尺寸 Ф3″(可定制)
加熱溫區段數 6段(可定制)
顯示及監控段數 6段
掌握方法 微機掌握
爐體最高任務溫度 1250℃
溫度穩固性 優于0.2℃
發展進程降溫超調 優于0.2℃
溫度顯示精度 0.1℃
溫度掌握精度 ±0.1℃
相鄰控溫熱偶可設定溫度差 0-3℃/cm
壓力掌握 PID閉環掌握
應用壓力 3MPa
腔體最高耐壓 15MPa
增壓泵壓力規模 0-7MPa

 

VGF單晶爐